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1550nm升频单光子探测器的特性分析

冯晨旭  焦荣珍  
【摘要】:分析了一种工作波长为1550nm,利用铌酸锂周期极化波导和硅雪崩二极管构成的升频单光子探测器的性能,给出了应用这种探测器的理想通信系统的结构组成,讨论了升频单光子探测器主要参数:量子效率和暗记数及其与泵浦功率的关系。通过比较得出升频探测器优于传统的 InGaAs/InP 雪崩二极管单光子探测器,能很好地改善量子通信系统的性能。

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