基于氧化钒薄膜的17微米640×512非制冷红外焦平面阵列芯片研究
【摘要】：报道了艾睿光电科技有限公司17微米640×512非制冷红外焦平面阵列芯片研究进展,介绍了芯片的读出电路架构与功能模块。将芯片进行高真空金属封装后进行了光电性能测试。测试结果显示,器件典型NETD小于35m K(@300K,50Hz,f/1.0),输出动态范围达到2.4V。在10°C~+40°C目标温度范围内,探测器残余固定图形噪声低至0.5倍NETD。探测器在-40°C~+85°C环境温度范围内NETD小于60m K。
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