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CuInS_2量子点敏化电池组分调控提高电池性能

王国帅  卫会云  李冬梅  孟庆波  
【摘要】:我们采用高温热注入法合成高质量CIS量子点,并应用到量子点敏化电池中[1]。通过调控Cu/In原子比合成不同组成的CIS量子点,研究发现:随着In含量的增加,量子点带隙变宽,吸光变窄,主要由于In含量的增加会降低价带的位置[2]。另一方面,随着In含量的增加,荧光发射谱峰位会有所蓝移,荧光强度增加,前者归根于带隙变宽,后者是因为In含量增加会有戏效的减少量子点的缺陷,尤其是表面缺陷[3]。电池测试结果表明,随着In含量的增多,电池性能会有一个先变好又变差的变化趋势。当In含量比较低时,增加In含量可以降低缺陷复合中心,而当In含量较高时,受到带隙变宽、吸光变窄的限制,使得电池性能变差。当Cu/In比为1:4时,电池效率达到了7.56%转换效率。这是目前已报道的CIS量子点敏化电池中的最高效率。

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