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直流磁控溅射ITO薄膜的低温等离子退火研究

朱长纯  商世广  
【摘要】:将直流磁控溅射法在低温下制备的ITO薄膜,分别置于氩气、氨气和氧气中退火和相应的等离子体处理,在相对低的温度下得到晶体结构性能、光学性能和电学性能优异的ITO薄膜。当处理温度为150℃时,三种气氛下ITO(Indium Tin Oxide)薄膜的结构均开始由非晶转变为晶态,相应的电学和光学性能都有所提高:当处理温度为350℃时,ITO薄膜的衍射曲线与In2O3的 PDF卡相似,可见光透过率都超过80%,其中氨气为88.5%(波长为600nm,含玻璃):薄膜表面的针刺很少,表面平整度(RMS)均小于2.08nm。其中,在氨气条件下电学性能变化最大,ITO 溥膜方块电阻由348.7Ω/□降到66.8 Ω/□,相应的电阻率为4.1×10-3Ω·cm和7.9×10-4Ω·cm。该方法对ITO溥膜的广阔应用前景具有很好的实际应用价值。

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