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真空微电子和微真空电子器件技术进展

廖复疆  
【摘要】:本文综述了近年来真空微电子技术进展,特别指出场致发射阵列阴极的发射电流密度,在实用化阴极面积上已经达到直流10A/cm2以上,为器件的实际应用创造了条件。美、日已作出了连续波输出功率30-50W的行波管,场致发射阵列阴极的应用,将大大提高微波管效率和可靠性。微真空电子器件(μVED)的发展将开辟300-3000GHz((0.1-3)×1012Hz,)频域,即界于远红外和毫米波之间的太赫兹频域,为空间通信、高速数据转发、精确制导等提供更加广阔的可用频率范围。

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