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90年代中期制造新型金刚石阵列场发射体D—FEA的方法(二)

刘光诒  柯锦松  朱敏慧  朱长纯  淮永进  董晓  林彰达  
【摘要】:本文侧重国际真空微电子学VME(Vacuum Microelectronics)领域内制造金刚石阵列场发射体D-FEA(Dlamond Coated Field Emission Array)的几种重要新方法,是文献的继续,在这一部份除介绍较成熟的制造低含H量多晶金刚石D-FEA的汽-液-固相VLS(Vapor-Liquid-Solid)法,制造可控含H量(无H或低H)类金刚石碳膜DLC(Diamond-LikeCarbon)的等离子体增强化学气相沉积PECVD(Plasma-Enhanced Chemical VaporDeposi tion)法+逐层沉积LBL(Layer-By-Layer)技术外,还简单总结了90年代中期D-FEA达到的发射水平,介绍了研制D-FEA过程中发现的与电子发射能力密切相关的有效负电子亲和势问题。

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