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片上RF互连技术在NoC中应用研究综述

周少华  沈剑良  李思昆  姚利俊  
【摘要】:片上RF互连技术(RF-Interconnect)由于其数据传输速度快,功耗低,带宽高,灵活的可重构特性等优势,成为当前互连技术研究的热点。片上RF互连技术以射频微波信号的低损耗和近场电容耦合为基础,数据使用调幅和调相的形式调制到射频微波信号上进行传输和交换,传播速度接近光速,工艺实现和传统的CMOS工艺完全兼容,可有效解决片上网络互连中线延时过大、带宽小等问题,已成为NoC技术发展中新兴的互连技术之一。本文首先分析了片上RF互连的物理原理与模型,而后总结了近几年国内外片上RF互连技术的研究与发展现状,分别就片上RF互连技术在基于二维Mesh结构的NoC上的应用、片上RF互连采用不同数据编址方式对互连性能的影响、片上RF互连在3D NoC中的应用研究等问题展开了论述,并根据研究和应用需求指出了未来片上RF互连技术在NoC应用中的可研究的技术热点和难点问题,本文对片上RF互连技术的研究具有一定的借鉴和指导意义。

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