NiFe层厚度对薄膜磁阻性能的影响
【摘要】:用直流磁控溅射方法制备了以Ta为缓冲层的Ni80Fe20薄膜。研究了NiFe层厚度对薄膜电阻变化量ΔR的影响。实验发现ΔR随NiFe厚度先变大后减小,最大约为0.3Ω,当NiFe厚度达到140nm后ΔR趋于饱和。其变化的原因是NiFe厚度影响着晶粒尺寸和表面粗糙度,进而影响着电子的散射,使ΔR呈现上述的变化趋势。
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