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PECVD制备掺碳纳米硅薄膜及其结构与性质研究

李喆  张溪文  韩高荣  
【摘要】:正本实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统,以高纯氢稀释的硅烷和乙烯作为先驱体,在载玻片和Si(100)单面抛光单晶硅片衬底上制备了两个系列的薄膜样品。掺碳浓度(乙烯硅烷比)系列:衬底温度T_s=300℃,射频功率90W,硅烷稀释比SiH_4/(SiH_4+H_2)=2%,乙烯跟硅烷的气体流量比分别为R=C_2H_4/(C_2H_4+SiH_4)=0,30,40,50,60,75%。

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