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电沉积法制备CuInS_2薄膜

李娟  莫晓亮  孙大林  陈国荣  
【摘要】:本文采用单步电沉积法和两步电沉积法在Mo基底上制备CuInS_2薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了样品的结构和形貌,用能量散射仪(EDX)测试了样品中各元素含量。结果表明,电沉积法制备的样品,元素原子比与沉积电位密切相关;单步法制备的薄膜样品,致密平整,晶粒大小1~2μm,CuInS_2晶体呈黄铜矿结构,同时含有CuS晶体;两步法制备的CuInS_2薄膜为黄铜矿结构,无杂相,但薄膜的致密平整性不如单步法。

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1 李娟;莫晓亮;孙大林;陈国荣;;电沉积法制备CuInS_2薄膜[A];第六届华东三省一市真空学术交流会论文集[C];2009年
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