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电子束蒸发制备二氧化钛薄膜的应力研究(英文)

陈焘  罗崇泰  王多书  熊玉卿  
【摘要】:在硅基底上用电子束蒸发方法制备了二氧化钛薄膜。通过XRD、AFM和薄膜应力测试仪研究了沉积速率、沉积温度和离子束轰击对薄膜应力的影响规律。结果表明沉积温度、沉积速率和离子束轰击对二氧化钛薄膜的应力有重要的影响。当沉积温度为323K、沉积速率为0.2nm/s时,二氧化钛薄膜具有较小的应力值,平均应力为48.2MPa。离子束轰击薄膜不仅改变了薄膜应力的大小,而且薄膜应力由张应力变为压应力。用能量为113eV的离子束轰击300s时,平均应力由72.9MPa的张应力变为16.7MPa的压应力。AFM和XRD测试结果显示二氧化钛薄膜微观结构变化是影响应薄膜力的主要因素。

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