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BN_x过渡缓冲层对磁控溅射c-BN薄膜残余应力的影响研究

蔡志海  张平  赵军军  杜军  
【摘要】:为降低c-BN薄膜的残余应力,论文采用射频磁控溅射法在离子注入BNx缓冲层的高速钢基体上沉积制备了立方氮化硼(c-BN)薄膜,并采用各种现代分析方法对薄膜进行了表征,包括傅立叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)。试验结果表明:BNx注入缓冲层有利于降低薄膜的内应力值,当BNx注入缓冲层中N/B比值接近1时,BNx注入缓冲层与薄膜、基体界面呈混合状态,缓冲层表面生成了BN化合物,此时c-BN薄膜的内应力最小,为3.0GPa。AFM分析表明BNx缓冲层上生长的c-BN薄膜表面粗糙度较小,结晶良好。

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