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PECVD法在硅基底上沉积SiO_2薄膜的光学特性研究

张霄  杭凌侠  周顺  
【摘要】:正目前,用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)制作SiO_2单层介质膜以其优良的物理性能而广泛的应用在微电子领域。由于SiO_2薄膜具有较低的折射率、熔点高、膜层牢固、抗磨耐腐蚀、保护能力强、对光的散射吸收小等独特性能,因而也非常适合用作制备光学增透膜。目

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