直流等离子体增强热丝化学气相沉积法(DC-Plasma-Enhanced HF-CVD)制备金刚石—碳化硅复合薄膜
【摘要】:正采用直流等离子体增强热丝化学气相沉积法,以四甲基硅烷(Si(CH_3)_4,TMS)为硅源制备金刚石碳化硅复合薄膜,将其作为中间层,以提高金刚石薄膜与基体之间的粘附性。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、电子探针显微分析(EPMA)和拉曼光谱(Raman)对薄膜进
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