STO/MgO/GaN多层薄膜制备研究

【摘要】：正SrTiO_3(STO)为钙钛矿结构的氧化物,具有较大的介电常数,被广泛应用于微波、微电子、存储等领域。GaN具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点,非常适用于制作高频、高速、抗辐射、大功率、高集成度的电子元器件。将STO薄膜与GaN集成,可用作微波电路混合集成电路中的电容以及MOS器件的栅介质材料。但是,STO为立方钙

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中国期刊全文数据库

前20条

1	余志强;谢泉;肖清泉;;Mg_2Si薄膜的磁控溅射制备及表征[J];材料导报;2011年12期
2	郭祯;薛岳;;Al_2O_3表面Cu-Ti氧化物薄膜制备[J];中山大学研究生学刊(自然科学.医学版);2011年01期
3	杨晓萍;郑殊;王正汹;刘悦;;动力学Monte Carlo模拟原子相互作用对薄膜外延生长的影响[J];纳米科技;2011年03期
4	王雪;李成山;于泽铭;郑会玲;冀勇斌;樊占国;;涂层导体用NiW合金基带表面改性研究[J];功能材料;2011年08期
5	朱江;佟帅;高德文;张志乾;颜炳嘉;孙凯;武光明;;注射超声喷雾热分解方法制备ZnO薄膜研究[J];北京石油化工学院学报;2011年02期
6	姚官生;司俊杰;陈凤金;孟超;;短波红外纳米PbSe薄膜制备及光电性能研究[J];航空兵器;2011年03期
7	谢大兵;华文深;黄红军;王运波;吴先权;;化学溶液沉积法制备红外上转换薄膜工艺的改进[J];光学仪器;2010年02期
8	刘红超;;LED产业技术及研究进展[J];上海第二工业大学学报;2011年02期
9	梁昌林;程国安;郑瑞廷;韩东艳;;TiAlN薄膜的磁过滤脉冲真空弧等离子反应沉积制备的研究[J];北京师范大学学报(自然科学版);2011年03期
10	叶飞;禹争光;;CIGS薄膜太阳能电池研究进展[J];东方电气评论;2011年02期
11	刘虹;陈良惠;;我国半导体照明发展战略研究[J];中国工程科学;2011年06期
12	王雪;李成山;于泽铭;樊占国;;NiW合金基带表面c(2×2)-S超结构的硫化处理[J];东北大学学报(自然科学版);2011年08期
13	曹洋;朱孔军;裘进浩;庞旭明;顾洪汇;郑红娟;季宏丽;;铌酸钾钠无铅压电陶瓷薄膜的制备方法研究[J];材料导报;2011年09期
14	刘丰;张伟丽;晋云霞;;离子束技术对氧化铪薄膜性能的影响[J];强激光与粒子束;2011年06期
15	王卫卫;蒲明华;王文涛;赵勇;;湿度对YBCO薄膜微观结构和超导性能的影响[J];低温与超导;2011年07期
16	杨斌;彭汝芳;李良;金波;沈娟;楚士晋;;Gd@C_(82) Langmuir-Blodgett纳米薄膜的表面微观结构[J];纳米科技;2011年03期
17	薛锦;王平秋;刘琼;代礼密;;掺杂Gd_2O_3对ZrO_2薄膜负非均匀性的影响[J];光学仪器;2009年06期
18	赵晓冲;林红;杨盼;李建保;;TiO_2级配薄膜厚度对全柔性染料敏化太阳能电池光电性能的影响[J];稀有金属材料与工程;2011年S1期
19	尹旭琴;李仰军;卫丽芬;武毅;刘建勋;;蓝宝石镀膜方法研究[J];光学仪器;2009年06期
20	李雪勇;严钦云;崔丽玲;;薄膜厚度对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响[J];广州化工;2011年16期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	周文;朱俊;罗文博;李言荣;;STO/MgO/GaN多层薄膜制备研究[A];TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2009年
2	李理;朱俊;罗文博;;以TiO_2为缓冲层在GaN上外延生长PZT铁电薄膜及性能测试[A];TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2009年
3	唐慧丽;徐军;李红军;苏良碧;吴锋;;Mg_(0.4)Al_(2.4)O_4衬底上ZnO薄膜的制备和性能表征[A];第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2009年
4	李言荣;;介电/半导体集成薄膜生长控制及其性能研究[A];TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2009年
5	蔡衍卿;姚忻;赖亦坚;;镓酸钕基片上外延生长钇钡铜氧超导厚膜的a、c轴取向转变机制[A];第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2006年
6	李树玮;小池一步;矢野满明;;ZnO和ZnMgO材料的分子束外延生长及其光学性质[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年
7	李美亚;赵兴中;B.Ma;R.E.Koritala;U.Balachandran;;倾斜衬底沉积法在金属衬底上外延生长YBCO薄膜[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ[C];2004年
8	张迎肖;索红莉;赵跃;刘敏;王榕;何东;周美玲;;在Ni5W基底上用MOD方法制备涂层导体过渡层的研究[A];2006年全国功能材料学术年会专辑[C];2006年
9	孙凤;陆文琪;徐军;;Ti-Si-N组分扩展薄膜制备研究[A];2011中国材料研讨会论文摘要集[C];2011年
10	陆颖;张宇栋;胡书新;李明;;硫化物纳米薄膜在PDA有机晶体表面的外延生长[A];中国化学会第十二届胶体与界面化学会议论文摘要集[C];2009年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	何斌;宽禁带立方氮化硼薄膜的制备与掺杂研究[D];北京工业大学;2008年
2	罗文博;介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长与性能研究[D];电子科技大学;2010年
3	胡敏;磁控溅射Ti/TiN多层薄膜制备及其性能研究[D];南昌大学;2010年
4	张心强;铪基及稀土高k薄膜在Si、Ge及InP上外延生长及性能研究[D];北京有色金属研究总院;2011年
5	陶伯万;3英寸YBCO双面超导薄膜的外延生长和均匀性研究[D];电子科技大学;2003年
6	何垚;应变和电场对硅表面的吸附能及结构的影响[D];复旦大学;2005年
7	晏长岭;垂直腔面发射激光器的研制及其特性分析[D];中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;2000年
8	赵胜利;用于全固态锂电池的无机电解质薄膜制备与性能研究[D];复旦大学;2003年
9	石林;外延生长动力学剪裁面心立方合金薄膜有序结构的研究[D];清华大学;2007年
10	陈源清;溶胶—凝胶法制备YBa_2Cu_3O_（7-δ）超导材料的研究[D];西安理工大学;2008年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	李钠;SiCl_4/H_2外延生长单晶硅反应机理的理论研究[D];辽宁师范大学;2005年
2	宋禹忻;动力学蒙特卡罗法仿真量子点生长过程的统计分析与参数优化[D];北京邮电大学;2007年
3	马琳;BCl_3/H_2外延生长P型硅反应机理的理论研究[D];辽宁师范大学;2007年
4	龚亮;外延薄膜生长过程的微观相场研究[D];天津大学;2008年
5	郭鑫;SiC外延生长加热系统热场分析[D];西安电子科技大学;2011年
6	王叶安;稀磁半导体GaMnN薄膜的ECR-PEMOCVD生长和特性研究[D];大连理工大学;2007年
7	赵广才;图形衬底上GaN材料的外延生长研究[D];西安电子科技大学;2010年
8	张少义;晶体相场方法研究晶体外延生长界面结构与位错的迁移[D];广西大学;2012年
9	孙伟峰;UHV/CVD外延生长硅及锗硅单晶薄膜[D];浙江大学;2005年
10	陆卫杰;宽光谱监控电子束蒸发薄膜制备系统的研制与应用[D];复旦大学;2011年

中国重要报纸全文数据库

前10条

1	;纳米复合稀土永磁薄膜制备成功[N];今日信息报;2004年
2	;高性能纳米复合稀土永磁薄膜制备成功[N];科技日报;2003年
3	飘尘;我国LED产值2010将超1000亿元[N];中国有色金属报;2008年
4	彭万华;高亮度LED初具产业基础仍需政策助力[N];中国电子报;2008年
5	唐伟;Ⅱ型激光分子束外延设备整体性能国际先进[N];科技日报;2006年
6	樊哲高孙江;三安：LED打造多彩生活[N];中国电子报;2004年
7	;全球MOCVD设备热销背后的解读[N];电子资讯时报;2006年
8	中关村证券;G华工低价超跌底部蓄势[N];证券时报;2006年
9	梁红兵;LED：强化产业链建设细分市场大有作为[N];中国电子报;2008年
10	任爱青;我国LED上游产业亟待突围[N];中国电子报;2008年

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