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ZnO纳米线的光致激光和电致近紫外发光

吴锦雷  孙晖  张琦锋  
【摘要】:随着纳米表面工程的发展,纳米材料的发光问题成为重要的研究课题。ZnO是一种优良的室温近紫外发光材料,人们用ZnO纳米线阵列构成了光致纳米激光器,激光波长383 nm,线宽仅为0.3 nm,光泵浦阈值是40 kW/cm2。同时,人们希望降低ZnO纳米线的发光激励功率密度阈值,也希望用电来驱动发光。我们通过构建半导体p-n结来降低发光的激励阈值,本文构建了基于n-ZnO纳米线/p-Si异质结的电致近紫外发光二极管。准阵列的ZnO纳米线采用水热法生长于重掺杂p型Si片上,纳米线结晶良好,以c轴为优势取向。二极管的电学接触采用聚合物填充的In 阴极或以ITO玻璃紧压形成阴极,它们的Ⅰ-Ⅴ特性体现出良好的二极管性质,在正向偏置电压驱动下,构建的发光二极管可发射波长在387 nm的近紫外光。

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