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中频反应磁控溅射法制备Al_2O_3:Ce~(3+)发光薄膜工艺条件优化

廖国进  巴德纯  闻立时  刘斯明  阎绍峰  
【摘要】:中频反应磁控溅射技术近年来得到了广泛地应用。采用该技术制备的Al2O3:Ce3+薄膜具有优良的蓝色发光性能。本文采用四因素四水平正交实验方法,对中频磁控溅射法制备的Al2O3:Ce3+薄膜工艺参数进行优化,得到了制备具有良好发光性能薄膜的优化条件是:掺杂浓度1.1%,溅射总压强0.4 Pa,靶基距70 mm,氧分压比9%。结果表明,中频反应磁控溅射制备的Al2O3:Ce3+具有强烈的宽带光致发光。

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