1 |
邱永鑫;李美成;赵连城;;InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结构[J];功能材料;2005年09期 |
2 |
熊敏;李美成;;InSb缓冲层的波纹结构及其对InSb/GaAs外延薄膜电学性能的影响[J];红外与激光工程;2011年03期 |
3 |
吴巨;金鹏;吕小晶;王占国;曾一平;王宝强;姚然;;MBE自组装量子点生长和结构形态研究[J];微纳电子技术;2008年08期 |
4 |
赵凤鸣;黄运衡;;热解氮化硼坩埚的研制及其在分子束外延中的应用[J];硅酸盐通报;1986年05期 |
5 |
苗振华,龚政,方志丹,倪海侨,牛智川;GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制[J];红外;2004年09期 |
6 |
贾金锋,厉建龙,梁学锦,刘熙,王俊忠,刘洪,窦瑞芬,徐茂杰,潘明虎,李绍春,薛其坤,李志强,JohnSTse,张振宇,张绳百;全同周期排列的纳米团簇阵列的自发生长(英文)[J];电子显微学报;2002年03期 |
7 |
;新材料[J];稀有金属;1986年04期 |
8 |
陈阿末;;L-B膜近况简介[J];物理与工程;1992年01期 |
9 |
沈大可,韩高荣,杜丕一,ZHANG X.X.,SOU I.K.;液晶光阀用ZnSSe薄膜的光电特性研究(英文)[J];功能材料与器件学报;2002年04期 |
10 |
孙殿照;以原子作砖块的建筑术——简介分子束外延技术[J];现代物理知识;1990年05期 |
11 |
;第一届全国固体表面会议及第二届全国半导体表面和界面物理会议将于今年第四季度召开[J];真空科学与技术学报;1982年04期 |
12 |
梁建;赵国英;赵君芙;贾伟;章海霞;;磷化铟纳米材料制备方法的最新研究进展[J];材料导报;2011年03期 |
13 |
肖定全;;美国MRS1987年秋季会议初析[J];材料导报;1988年02期 |
14 |
罗岚;徐政;许业文;刘庆峰;刘茜;;物理气相法制备材料芯片的发展[J];材料导报;2004年02期 |
15 |
吕洪久;;最近的等离子技术[J];化工新型材料;1986年01期 |
16 |
王志俊;胡礼中;王兆阳;赵杰;张贺秋;;MgO薄膜的制备方法及工艺条件对薄膜特性的影响[J];真空与低温;2006年01期 |
17 |
赵连城;;红外光电薄膜材料的界面结构与光电性能[J];中国表面工程;2009年03期 |
18 |
陈雪梅;唐利斌;万锐敏;王茺;杨宇;;外延GaNAs薄膜价带分裂随温度变化的研究[J];材料导报;2010年20期 |
19 |
陈念贻;;材料设计——材料科学的新潮流[J];自然杂志;1988年03期 |
20 |
王庆学,杨建荣,孙涛,魏彦锋,方维政,何力;Hg_(1-x)Cd_xTe分子束外延薄膜晶格参数与组分关系的研究[J];物理学报;2005年08期 |