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射频磁控溅射法分别制备PZT和BST铁电薄膜的分析与比较

毕振兴  张之圣  胡明  
【摘要】:应用射频磁控溅射方法,利用快速热退火(RTA)工艺,分别制备出了具有良好铁电性能的 Pb(Zr0.52Ti0.48)O3和(Ba0.7Sr0.3)TiO3铁电薄膜。对两种铁电薄膜的厚度、XRD图谱、SEM图像和电滞回线进行了比较和分析。优化了制备两种铁电薄膜的工艺条件。研究表明要想得到单一钙钛矿结构的铁电薄膜,(Ba0.7Sr0.3)TiO3薄膜的退火温度要高于Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜的退火温度。在相同的条件下,后者比前者更易于溅射,同时O2气氛的引入对两种薄膜也有不同的影响。

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