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半导体SnO_2纳米线阵列的合成及其表征

孔明光  徐伟宏  刘锦淮  
【摘要】:正 多孔氧化铝模板(AAMs)在合成纳米材料方面有其独特的结构特性而受到广泛关注,多孔氧化铝模板有好的机械和热稳定性,圆柱形的孔均匀有序排列,孔深宽比高。二氧化锡(SnO_2)是一种重要的半导体金属氧化物,应用在玻璃透明导电膜、电化学中的修饰电极、太阳能电池和气敏传感器件。本论文将报道用溶胶凝胶方法在多孔氧化铝模板中制备大面积的高度有序的SnO_2纳米线阵列。用日本理学D/Max-(?) A 转靶X 射线衍射仪对模板中的SnO_2纳米线进行结构分析,以Cu-K α为辐射源(λ=1.54178(?))。用H-800型透射电子显微镜(TEM)

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