在SOI衬底上用GSMBE外延生长SiGe合金薄膜的研究

【摘要】：正 SiGe技术和SOI技术是近年来在微电子技术领域中受到人们高度重视的研究热点和正在实现大规模产业化的发展方向。由融合了两者优势所形成的绝缘体上的锗硅技术(SiGe on Insulator,SGOI),以及基于其上的应变硅技术(StrainedSilicion on Insulator,sSOI)是不同于尺寸缩小方法的另一种在现有工艺技术水平上可显著提高硅基集成电路性能的有效途径,已被ITRS列入CMOS技术今

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中国期刊全文数据库

前20条

1	王雪;李成山;于泽铭;郑会玲;冀勇斌;樊占国;;涂层导体用NiW合金基带表面改性研究[J];功能材料;2011年08期
2	刘红超;;LED产业技术及研究进展[J];上海第二工业大学学报;2011年02期
3	刘虹;陈良惠;;我国半导体照明发展战略研究[J];中国工程科学;2011年06期
4	王雪;李成山;于泽铭;樊占国;;NiW合金基带表面c(2×2)-S超结构的硫化处理[J];东北大学学报(自然科学版);2011年08期
5	王卫卫;蒲明华;王文涛;赵勇;;湿度对YBCO薄膜微观结构和超导性能的影响[J];低温与超导;2011年07期
6	余志强;谢泉;肖清泉;;Mg_2Si薄膜的磁控溅射制备及表征[J];材料导报;2011年12期
7	尹旭琴;李仰军;卫丽芬;武毅;刘建勋;;蓝宝石镀膜方法研究[J];光学仪器;2009年06期
8	戴晔;何敏;阎晓娜;马国宏;;近红外飞秒激光诱导非晶硅薄膜的晶化(英文)[J];红外与毫米波学报;2011年03期
9	;[J];;年期
10	;[J];;年期
11	;[J];;年期
12	;[J];;年期
13	;[J];;年期
14	;[J];;年期
15	;[J];;年期
16	;[J];;年期
17	;[J];;年期
18	;[J];;年期
19	;[J];;年期
20	;[J];;年期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	刘超;李建平;曾一平;李晋闽;;在SOI衬底上用GSMBE外延生长SiGe合金薄膜的研究[A];TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2003年
2	周文;朱俊;罗文博;李言荣;;STO/MgO/GaN多层薄膜制备研究[A];TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2009年
3	李理;朱俊;罗文博;;以TiO_2为缓冲层在GaN上外延生长PZT铁电薄膜及性能测试[A];TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2009年
4	唐慧丽;徐军;李红军;苏良碧;吴锋;;Mg_(0.4)Al_(2.4)O_4衬底上ZnO薄膜的制备和性能表征[A];第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2009年
5	李言荣;;介电/半导体集成薄膜生长控制及其性能研究[A];TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2009年
6	蔡衍卿;姚忻;赖亦坚;;镓酸钕基片上外延生长钇钡铜氧超导厚膜的a、c轴取向转变机制[A];第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2006年
7	李树玮;小池一步;矢野满明;;ZnO和ZnMgO材料的分子束外延生长及其光学性质[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年
8	李美亚;赵兴中;B.Ma;R.E.Koritala;U.Balachandran;;倾斜衬底沉积法在金属衬底上外延生长YBCO薄膜[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ[C];2004年
9	张迎肖;索红莉;赵跃;刘敏;王榕;何东;周美玲;;在Ni5W基底上用MOD方法制备涂层导体过渡层的研究[A];2006年全国功能材料学术年会专辑[C];2006年
10	陆颖;张宇栋;胡书新;李明;;硫化物纳米薄膜在PDA有机晶体表面的外延生长[A];中国化学会第十二届胶体与界面化学会议论文摘要集[C];2009年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	罗文博;介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长与性能研究[D];电子科技大学;2010年
2	张心强;铪基及稀土高k薄膜在Si、Ge及InP上外延生长及性能研究[D];北京有色金属研究总院;2011年
3	陶伯万;3英寸YBCO双面超导薄膜的外延生长和均匀性研究[D];电子科技大学;2003年
4	何垚;应变和电场对硅表面的吸附能及结构的影响[D];复旦大学;2005年
5	晏长岭;垂直腔面发射激光器的研制及其特性分析[D];中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;2000年
6	石林;外延生长动力学剪裁面心立方合金薄膜有序结构的研究[D];清华大学;2007年
7	许锐;磷酸铝分子筛膜的制备和性质[D];吉林大学;2007年
8	何斌;宽禁带立方氮化硼薄膜的制备与掺杂研究[D];北京工业大学;2008年
9	陈峰;外延Pb（Zr_（0.52）Ti_（0.48））O_3单晶薄膜的制备与性能研究[D];中国科学技术大学;2008年
10	尹肖菊;沸石分子筛膜的制备和性质研究[D];吉林大学;2007年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	李钠;SiCl_4/H_2外延生长单晶硅反应机理的理论研究[D];辽宁师范大学;2005年
2	宋禹忻;动力学蒙特卡罗法仿真量子点生长过程的统计分析与参数优化[D];北京邮电大学;2007年
3	马琳;BCl_3/H_2外延生长P型硅反应机理的理论研究[D];辽宁师范大学;2007年
4	龚亮;外延薄膜生长过程的微观相场研究[D];天津大学;2008年
5	陈金文;SiC衬底外延生长GaN界面结构的第一性原理研究[D];哈尔滨工业大学;2010年
6	郭鑫;SiC外延生长加热系统热场分析[D];西安电子科技大学;2011年
7	赵广才;图形衬底上GaN材料的外延生长研究[D];西安电子科技大学;2010年
8	孙伟峰;UHV/CVD外延生长硅及锗硅单晶薄膜[D];浙江大学;2005年
9	罗萌;CMOS/SOI模拟电路的研究[D];西北大学;2001年
10	杨晓东;紫外光电材料ZnO的外延生长及特性研究[D];西北大学;2002年

中国重要报纸全文数据库

前10条

1	北京 childe;CMOS难关重重摩尔定律何以再续[N];中国电脑教育报;2001年
2	飘尘;我国LED产值2010将超1000亿元[N];中国有色金属报;2008年
3	兴棨;威盛增加 IBM为晶圆代工伙伴[N];电子资讯时报;2004年
4	彭万华;高亮度LED初具产业基础仍需政策助力[N];中国电子报;2008年
5	唐伟;Ⅱ型激光分子束外延设备整体性能国际先进[N];科技日报;2006年
6	陕西省经济信息中心佟平中国建设银行陕西省分行史锋;“芯”跳加速[N];计算机世界;2001年
7	樊哲高孙江;三安：LED打造多彩生活[N];中国电子报;2004年
8	;SOI—IBM 芯片制造添利器[N];中国计算机报;2001年
9	李大庆实习生李绍富;我们终于有了自己的SOI[N];科技日报;2004年
10	;全球MOCVD设备热销背后的解读[N];电子资讯时报;2006年

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