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在SOI衬底上用GSMBE外延生长SiGe合金薄膜的研究

刘超  李建平  曾一平  李晋闽  
【摘要】:正 SiGe技术和SOI技术是近年来在微电子技术领域中受到人们高度重视的研究热点和正在实现大规模产业化的发展方向。由融合了两者优势所形成的绝缘体上的锗硅技术(SiGe on Insulator,SGOI),以及基于其上的应变硅技术(StrainedSilicion on Insulator,sSOI)是不同于尺寸缩小方法的另一种在现有工艺技术水平上可显著提高硅基集成电路性能的有效途径,已被ITRS列入CMOS技术今

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