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PECVD法制备宽带隙半导体SiC薄膜的研究

张翼英  杜丕一  韩高荣  
【摘要】:正 SiC半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代宽带隙(WBS)半导体材料,因其具有宽禁带、高临界电场、大的电子饱和漂移速度以及高热导率等等各种优异的性能,越来越引起人们广泛的研究。本实验以高氢稀释的SiH_4和CH_4气体为沉积薄膜的原料,以经过抛光处理

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