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热蒸发制备CdS薄膜纵横向电阻率的差异

何智兵  韩高荣  
【摘要】:正 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,特别是CdS薄膜因其具有优良的光电性能和广泛的应用前景,一直受到人们的极大关注。CdS薄膜在太阳能电池、传感器、光控测器、激光材料、光波导器件和非线性集成光学器件等领域已有较多的应用。真空热蒸发制备硫化镉薄膜具有简单、易于控制、成本低等优点,制备的薄膜结晶性好、均匀。虽然热蒸发制备CdS薄膜的各种性能已作了大量研究,很多研究者发现热蒸发CdS薄膜为六方纤锌矿结构,在(002)晶面方法上具有高度的择优取向,

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