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LPCVD直接生长纳米硅镶嵌氮化硅复合膜及力学性能研究

陈大鹏  叶甜春  谢常青  李兵  赵铃莉  韩敬东  胥兴才  
【摘要】:正 采用LPCVD方法在石英管式炉内制备SiNx薄膜,衬底为双面抛光的P型100硅片,气源为SiH2Cl2和NH3,通过改变沉积温度和反应气体的质量流量比可得到不同的SiNx薄膜。对采用上述方法制备的SiNx进行背面光刻,开出腐蚀窗口后,通过离子束干法刻蚀,去除背面窗口中的SiNx,再经腐蚀去除硅,留下的SiNx膜通过离子束减薄后,喷碳,在H-800透射电镜下观察,我们对不同生长条件下获得的SiNx膜进行了分析测试,发现利用LPCVD方法直接生长的SiNx膜

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