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高迁移率Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构材料生长研究

许福军  沈波  苗振林  宋杰  黄呈橙  杨志坚  张国义  
【摘要】:Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构材料在微波功率器件应用和二维电子气(2DEG)物理性质研究方面有重要价值。本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,重点研究了AIN插入层厚度对Al_xGa_(1-x)N/GaN势垒层晶体质量的影响,确认优化的AIN厚度可以有效减少Al_xGa_(1-x)N中贯穿位错密度和提高其应变均匀性,并有助于保持异质界面的平整度,从而有利于提高异质结构中2DEG的迁移率。在此基础上,进一步探索了稳定生长高迁移率Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的途径,获得了2DEG室温Hall迁移率稳定大于1800cm~2/Vs的宽窗口生长方法。采用这种方法生长的Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的2DEG室温迁移率最高达到了2230cm~2/Vs。

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1 许福军;沈波;苗振林;宋杰;黄呈橙;杨志坚;张国义;;高迁移率Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构材料生长研究[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
2 刘海静;王峰;吉静;李志林;刘景军;;聚苯胺/碳纳米管异质结构材料的制备及其半导体性能研究[A];2011年全国高分子学术论文报告会论文摘要集[C];2011年
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1 杨忠美;聚苯胺及银修饰的纳米氧化锌的制备、表征及其光催化性能的研究[D];湘潭大学;2011年
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