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GaN垒层厚度对InGaN/GaN单量子阱光学特性的影响

胡晓龙  张江勇  张保平  
【摘要】:采用金属有机物化学气相沉积(MOVCD)技术制备了不同GaN垒层厚度的InGaN单量子阱。低温PL测量发现,随着GaN垒层厚度的增加,InGaN量子阱的发光峰位发生了明显的红移;同时,激子与纵光学声子间的耦合强度也逐渐增强。进一步分析表明,以上现象主要源于GaN垒层厚度变化引起的量子阱中应力的改变。

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