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采用MOCVD技术在GaN衬底上生长p型GaP薄膜的研究

周天明  李述体  范广涵  孙慧卿  周昕妹  董海平  王立辉  张康  卢太平  
【摘要】:采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及p型GaP层进行了研究。通过优化生长条件,在GaN上生长出了单晶GaP薄膜,其(111)X射线衍射半高宽为408弧秒。以Cp2Mg为掺杂剂,对p型GaP的掺杂生长进行了研究,在GaN上获得了空穴浓度为4.4×10~(18)cm~(-3),迁移率为8.6cm~2/V·s的p型GaP单晶膜。

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