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An Investigation of Scalability of a Buffered Distributed Spray MOCVD Reactor by Numerical Analysis

【摘要】:正The film growth of gallium nitride(GaN) from trimethyl-gallium(TMGa) and ammonia(NH_3) in a novel commercial,multi-wafer MOCVD reactor,which is called buffered distributed spray(BDS) MOCVD reactor,is systematically analyzed using numerical methods.A fundamental and multi-field model based on the finite volume solution of coupled flow,heat and mass transfer is presented to describe the epitaxial growth of GaN.In the present study,the scalability of the BDS MOCVD reactor is investigated with the analysis of the axial growth rate profiles.The modeling results show that the BDS MOCVD reactor performs well in GaN growth and the process is directly scaleable between reactor sizes with keeping uniform temperature and growth rate distribution.

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