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SiC衬底上GaN基的材料生长及器件研究

徐现刚  
【摘要】:正以高质量的6H-SiC为衬底,采用MOCVD技术外延GaN基器件结构材料。采用AlN作为缓冲层,通过改变AlN缓冲层的厚度及生长温度来调节GaN层的质量。实验发现,AlN缓冲层厚度决定着GaN成核岛的密度。随着AlN缓冲层厚度增加,GaN成核岛密度也增加;而成核岛密度影响着外

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