SiC衬底上GaN基的材料生长及器件研究

【摘要】：正以高质量的6H-SiC为衬底,采用MOCVD技术外延GaN基器件结构材料。采用AlN作为缓冲层,通过改变AlN缓冲层的厚度及生长温度来调节GaN层的质量。实验发现,AlN缓冲层厚度决定着GaN成核岛的密度。随着AlN缓冲层厚度增加,GaN成核岛密度也增加;而成核岛密度影响着外

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中国期刊全文数据库

前20条

1	孙鲁;赵慧元;苏秉华;;GaN基量子阱红外探测器的设计[J];现代电子技术;2011年10期
2	乔建良;高有堂;钱芸生;常本康;;负电子亲和势GaN光电阴极特性研究[J];南阳理工学院学报;2011年02期
3	曹韬;刘友江;曾荣;吕立明;;S波段高效GaN逆E类功率放大器[J];微波学报;2011年04期
4	李飙;徐源;常本康;王晓晖;杜玉杰;高频;张俊举;;梯度掺杂结构GaN光电阴极的激活工艺研究[J];光电子.激光;2011年09期
5	包西昌;张文静;刘诗嘉;李超;李向阳;;平面型GaN p-n结探测器的制备与性能[J];红外与毫米波学报;2011年03期
6	张永慧;吕春明;汪邦金;;一种S波段宽带GaN放大器的设计[J];现代电子技术;2011年10期
7	尹甲运;刘波;王晶晶;李佳;敦少博;冯志红;蔡树军;;Al沉积时间对Si衬底GaN材料的影响[J];半导体技术;2011年09期
8	余菲;金雷;;GaN发光二极管的老化数学模型及寿命测试方法[J];中国激光;2011年08期
9	陈耀;王文新;黎艳;江洋;徐培强;马紫光;宋京;陈弘;;国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜[J];发光学报;2011年09期
10	;微纳光子学亚波长器件研究的重要进展——逆向干涉相消法提高波分复用器透射效率50%[J];红外;2011年08期
11	陈洪斌;胡林林;马国武;周传明;许冬明;宋睿;金晓;;0.14THz返波管器件数值模拟与实验研究[J];信息与电子工程;2011年03期
12	;[J];;年期
13	;[J];;年期
14	;[J];;年期
15	;[J];;年期
16	;[J];;年期
17	;[J];;年期
18	;[J];;年期
19	;[J];;年期
20	;[J];;年期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	徐现刚;;SiC衬底上GaN基的材料生长及器件研究[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
2	陈勇波;周建军;徐跃杭;国云川;徐锐敏;;GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究[A];2011年全国微波毫米波会议论文集（下册）[C];2011年
3	;Fabrication of P-type Nonpolar GaN:Cu Ferromagnetic Films by Implantation[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
4	李忠辉;李亮;董逊;张岚;姜文海;;3英寸Si基AlGaN/GaN/异质结材料生长[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
5	K.K.Leung;W.K.Fong;C.Surya;;Investigations of Hot-electron Degradations in GaN-LEDs[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
6	尹以安;李述体;梅霆;范广涵;周天明;;P型InGaN/GaN超晶格的光学和电学性质研究[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
7	;High Quality GaN Epitaxial Growth on Sapphire Substrate Using High Temperature AIN Buffer Layer[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
8	王光绪;熊传兵;刘彦松;程海英;刘军林;江风益;;硅衬底GaN基单量子阱绿光LED量子效率的研究[A];全国光电子与量子电子学技术大会论文集[C];2011年
9	曹健兴;李述体;范广涵;章勇;尹以安;郑树文;梅霆;苏军;;铝预处理对硅衬底上AIN缓冲层与GaN外延层的影响[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
10	尚林;赵君芙;张华;梁建;许并社;;不同掺杂元素对GaN薄膜影响的研究进展[A];2011中国材料研讨会论文摘要集[C];2011年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	张宇;Ⅲ-Ⅴ族氮化物纳米孔材料的制备和应用[D];山东大学;2010年
2	龚欣;GaN异质结双极晶体管及相关基础研究[D];西安电子科技大学;2007年
3	段焕涛;基于高温AIN成核层的GaN基异质结构材料生长研究[D];西安电子科技大学;2011年
4	刘芳;GaN基器件肖特基接触的新结构和新材料的研究[D];天津大学;2010年
5	吕志勤;高质量GaN基材料外延生长工艺及其光电特性研究[D];华中科技大学;2012年
6	王福学;GaN材料的缺陷分布及工艺设计对器件性能的影响研究[D];南京大学;2011年
7	梅俊平;预处理与离子注入GaN外延材料的性能研究[D];河北工业大学;2011年
8	孙晓娟;GaN紫外探测器材料的MOCVD生长及器件研究[D];中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）;2012年
9	徐大庆;GaN基稀磁半导体的理论与实验研究[D];西安电子科技大学;2009年
10	李春;可溶性有机小分子电致发光器件制备与性能研究[D];华南理工大学;2011年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	段超;GaN基材料和器件辐照可靠性研究[D];西安电子科技大学;2010年
2	梁晓祯;In AlN/GaN HEMT的研制与特性分析[D];西安电子科技大学;2011年
3	秦雪雪;GaN基毫米波异质结构器件研究[D];西安电子科技大学;2010年
4	陈睿姝;GaN/ZnO基异质结发光器件的制备与研究[D];大连理工大学;2010年
5	徐浩;GaN基材料热退火与湿法腐蚀的研究[D];西安电子科技大学;2010年
6	王昊;高阻缓冲层与高迁移率GaN基HEMT材料生长研究[D];西安电子科技大学;2011年
7	谢圣银;增强型GaN高电子迁移率晶体管的研究[D];电子科技大学;2010年
8	武晓莺;X波段GaN微波单片低噪声放大器的设计[D];西安电子科技大学;2010年
9	于国浩;n型GaN肖特基结核辐射探测器制备与性能研究[D];重庆师范大学;2010年
10	王水力;介电氧化物/GaN基半导体异质结构的电学性能研究[D];电子科技大学;2011年

中国重要报纸全文数据库

前10条

1	赛迪新型材料工程咨询中心李国强;GaN：半导体材料生力军[N];中国电子报;2002年
2	记者包冉;塔多思CEO Dev Ganesan抵京[N];计算机世界;2002年
3	王占国;加强信息功能材料和器件研究的建议[N];科技日报;2004年
4	柏林;我平板显示器件研究取得突破[N];中国化工报;2007年
5	;新一代光电材料：IT产业新动力[N];中国电子报;2002年
6	;IT要帮助公司在网上赚钱[N];计算机世界;2000年
7	;电子商务人才严重匮乏[N];计算机世界;2000年
8	本报记者徐玢唐婷;李彦：用简单方式解决复杂问题[N];科技日报;2007年
9	唐婷徐玢;探索在下一代电子器件发展最前沿[N];科技日报;2007年
10	本报记者周蕾;“翻译”软件赢世界[N];网络世界;2001年

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