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质子注入单晶硅中的结构演化

肖清华  王敬  屠海令  
【摘要】:采用离子注入技术将大量的质子引入到单晶硅中,通过透射电子显微镜和光学显微镜的观察,在注入质子的硅片中,片状缺陷导致晶格的损伤,退火过程中,质子复合成氢分子并聚集,产生巨大的内压力,在表面产生气泡和裂坑;高温退火容易使氢逸出,导致内部压力的降低,气泡突起变小;质子注入硅片在低温退火后内部形成裂纹,而高温退火内部还形成带有非晶化内壁的空腔结构。

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