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一种新型650nm的光电探测器

林聚承  袁祥辉  
【摘要】:主要阐述了一种新型PPIN结构的硅光电二极管,采用N型硅衬底,经过氧化光刻后,先作一次很薄淡硼扩散,再进行浓硼扩散,这样形成高低发射结的方法,减薄死层厚度,减少光生载流子的复合,以提高光电转换效率。

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