【摘要】:3微米波段激光处于水强吸收带内,在医学、激光雷达等领域有着重要应用。利用高掺杂浓度下Er~(3+)离子~4I_(13/2)能级的能量传递上转换,经由~4I_(11/2)到~4I_(13/2)跃迁可高效输出3微米波段激光。本工作采用提拉法生长了高掺杂Er:SrGdGa_3O_7(Er:SGGM)晶体。利用Er:SGGM晶体的室温偏振吸收光谱,结合Judd-Ofelt理论拟合得到了该晶体的强度参数,并由此计算了自发辐射跃迁几率和荧光分支比等光谱参数。测试了Er~(3+)离子~4I_(11/2)和~4I_(13/2)能级在不同激发功率下的荧光衰减曲线,并利用速率方程分析对比了上转换过程对上述两个能级荧光衰减的影响。采用波长为969nm的连续半导体激光器作为激发源,探测到Er:SGGM在2400~3100nm(相应于~4I_(11/2)→~4I_(13/2)跃迁)波段有较强的荧光发射,峰值波长为2740nm。以上研究结果表明Er:SGGM是一种潜在的可用于输出3微米波段激光的固体激光材料。
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;半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器[J];今日电子;2011年07期 |
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