【摘要】：报道了Zn:Er:LiNbO3单晶的坩埚下降法生长工艺。通过控制晶体生长固液界面的温度梯度(30～35℃/cm)、晶体的生长速度(0.8-1.5mm/h)、以及密闭Pt坩埚等条件下生长了宏观无缺陷的Zn2+(3mol%)和Er3+(0.6mol%)共掺的LiNbO3单晶。用X-射线衍射(XRD)和差热分析(DTA)表征了获得的晶体,并测量了晶体不同部位的吸收光谱和上转换荧光谱。