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射频磁控溅射技术制备IT-SOFC GDC电解质膜的研究

徐立海  杨炜  王聪  
【摘要】:采用Gd0.1 Ce0.9O1.95(CDC)作为IT-SOFC的电解质材料,用射频磁控溅射技术在Al2O3陶瓷基片上成功制备了GDC簿膜,通过摸索制备工艺条件,确定并优化了其工艺参数。用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对GDC薄膜进行结构和形貌分析。结果表明用溅射气压1 Pa,衬底温度650℃,靶功率300 W制备的GDC薄膜具有较纯的立方莹石相结构,并在多孔氧化铝衬底上沿(111)密排方向具有择优生长特征。

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