磁场作用下抛物形量子阱线中的带电施主离子的性质

【摘要】：正本文采用一维有效势模型,利用有限差分法计算了在磁场作用下抛物形量子阱线中 D~-离子的束缚能、两电子间的平均距离和电子与施主杂质离子间的平均距离随磁场强度和抛物势强度的变化。我们发现在抛物势和磁场的共同作用下,抛物形量子阱线中 D~-离子束缚能随抛物势强度的增大而增大,随磁场强度的增大而增大,且对磁场变化呈现出复杂的依赖关系。在强抛物势束缚下,D~-离子

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前20条

1	张红;张春元;张慧亮;刘建军;;外加磁场下抛物型量子线中的带电激子[J];物理学报;2011年07期
2	;[J];;年期
3	;[J];;年期
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前1条

1	翟利学;刘建军;;磁场作用下抛物形量子阱线中的带电施主离子的性质[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	翟利学;磁场作用下抛物势量子线中负施主杂质离子体系的性质[D];河北师范大学;2008年
2	邸冰;量子阱线中中性施主束缚激子的性质[D];河北师范大学;2004年
3	王雪峰;方形量子阱线中中性施主束缚激子（D～0，X）体系的性质[D];河北师范大学;2005年
4	陈晓芳;无限深GaAs量子阱线中双激子的性质[D];河北师范大学;2005年
5	张红;抛物量子阱线中激子和激子复合物的性质[D];河北师范大学;2007年
6	李卫艳;无限深GaAs量子阱线中带电激子体系的变分计算[D];河北师范大学;2006年
7	赵祥富;若干低维半导体系统拉曼散射理论研究[D];广州大学;2007年
8	苏会;量子阱线中类氢杂质的束缚能标度及光致电离截面[D];河北师范大学;2002年
9	姜黎明;低维半导体纳米结构中电子态的研究[D];曲阜师范大学;2009年
10	卢发;纤锌矿结构纳米半导体拉曼散射的理论研究[D];广州大学;2012年

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