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光照对AlxGal-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响

唐宁  沈波  韩奎  贺小伟  杨志坚  秦志新  张国义  林铁  周文政  郭少令  褚君浩  
【摘要】:正通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了 Al_xGa_(1-x)N/GaN 异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。分别观察到了由磁致子带间散射(MIS)和零场自旋分裂引起的磁电阻振荡的拍频现象。通过光照分别对这两种拍频现象进行研究,发现光照使 Shubnikov-de Haas 振荡的振幅增大, 增大了2DEG 的浓度特别是第二子能带的2DEG 浓度,使子能带的能量间距减小。第二子能带的

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