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利用SiC:Ge形成SiC欧姆接触中间层

郭辉  张义门  张玉明  
【摘要】:正利用中间层在欧姆接触界面形成梯度势垒,即把原来的一个高势垒通过中间层的存在分成两个或者更多的势垒。除了采用合金化退火的方法来形成中间合金相,还可以通过在 SiC 表面淀积能和金属形成良好欧姆接触的窄带半导体(如 InN)来形成中间层,或者采用离子注入 SiC 进行材料改性 (Ge 注入 SiC 形成 SiC:Ge)来形成中间层。

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