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磁控溅射制备具有室温磁性的Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜

王朱良  李小丽  许小红  
【摘要】:正ZnO 宽禁带半导体(3.35eV)具有较高的激子束缚能(60meV),它可以被期待用于紫外光发光源、表声波元器件、透明高功率电子元器件和自旋电子功能元件。因此,以 ZnO 为基的稀磁性半导体的研究,引起了全世界相当广泛的重视与兴趣。我们采用磁控共溅射的方法在 Al_2O_3基片上制备

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