Fe_3O_4薄膜的制备、磁性和电子输运特性

【摘要】：正 非均匀纳米磁性体系,如反铁磁耦合的磁性多层膜,磁性金属—非磁金属、磁性金属—绝缘体颗粒薄膜和磁性隧道结中的巨磁电阻效应(giant magnetoresistance,GMR)的研究已经形成了一个新兴的交叉学科一磁电子学。GMR效应源自电子传输过程中的自旋相关散射或自旋相关隧道效应,即和相邻磁性单元(多层膜中为二相邻磁性层,颗粒系统中为二相邻磁性颗粒,磁性隧道结中为二磁性层)的磁化强度(磁矩)的相对取向以及传导或隧穿电子的自旋极化率有关。因为在磁性金属—绝缘体颗粒系统的巨磁电阻效应中,电子的输运机制是隧道效应,这种GMR效应通常也被称为隧道型磁电阻(tunnel magnetoresistance,TMR)。理论研究表明,TMR值正比于铁磁材料的自旋极化率。所以,寻找具有高自旋极化率的磁性材料是目前磁电子学研究领域最为活跃的研究课题之一。