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La_(1-⊿)MnO_3薄膜的缺陷对巨磁电阻效应的影响

冯尚申  潘国卫  焦正宽  
【摘要】:采用溶胶—凝胶方法,用La和Mn的环烷酸盐溶液在LaAlO_3(100)基底上合成了La_(1-⊿)MnO_3薄膜(0.02⊿0.36)样品。阻温特性测量表明⊿0.05时,薄膜发生了半导体到金属的转变,转变温度随着缺La量的增加而增加,最大磁转变温度在⊿=0.3附近。MR随着缺La量的增加而减少。当缺La量比较少时,大部分缺La位已被空穴所取代;但当缺La量比较大时,缺La位并没有完全被空穴所取代,而是部分分离为Mn_2O_3相,部分增加了氧缺位。

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