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锰氧化物异质结磁场效应及光伏特效应研究

孙继荣  沈保根  熊昌民  黄康权  
【摘要】:正 利用脉冲激光沉积技术制备了几类典型的锰氧化物基p-n异质结,研究了异质结在磁场下的行为,观察到明显依赖于磁场的整流行为:5T的外磁场可以导致p-n结扩散电势和击穿电压近100%的增加。在弱p-n结中,1.7 T的外磁场可以导致高达1100%的正磁电阻效应。和单纯的锰氧化物不同,锰氧化物p-n结的结电阻磁场下增加,同时表现出对电流/偏压的强烈依赖。显然,磁电阻效应反映了锰氧化物p-n结的磁电子学特性,而其对电流/偏压的依赖则反映了p-n结的半导体特征,后

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