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不连续Fe_(25)Ni_(75)/SiO_2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应

刘春明  葛世慧  姜丽仙  寇晓明  李斌生  池俊红  王新伟  李成贤  
【摘要】:用射频磁控溅射技术制备了[SiO_2(t_1)/Fe_(25)Ni_(75)(t_2)]_N多层膜系列(其中t_1和t_2分别代表SiO_2层和Fe_(25)Ni_(75)层的厚度,N代表层数)。研究发现,对[SiO_2(3.3 nm)/Fe_(25)Ni_(75)(t_2)]_(10)系统,当Fe_(25)Ni_(75)层厚度小于2.4 nm时,Fe_(25)Ni_(75)层从连续变为不连续;在t_2=2.1 nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64%,当温度高于180K时,InR正比于T~(-1/2),表明导电机制为热激发的隧穿导电;对[SiO_2(1.8 nm)/Fe_(25)Ni_(75)(1.6 nm)]_N系统,发现磁电阻和电导率先随着层数的增加而增加,然后趋于饱和。

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