面向半导体照明的氮化镓发光二极管制备的产业化技术的研究
【摘要】:综述了清华大学电子系集成光电子学国家重点实验室在面向半导体照明的氮化镓发光二极管产业化技术研究方面的近期进展。我们在LED芯片的电致发光光谱特性、AlGaN/GaN材料的刻蚀平整度和选择性刻蚀技术上获得了国际文献报道的最好水平。目前,本实验室研制的LED芯片的主要技术指标已经达到半导体照明的初期要求。
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