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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态

郑安生  钱嘉裕  韩庆斌  邓志杰  
【摘要】:正 GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在微电子学和光电子学方面的应用日益重要,尤其是发光二极管(LED)、激光二极管(LD)及微波高频器件,如异质双极晶体管(HBT),高电子迁移率晶体管(HEMT),单片微波集成电路(MMIC)等。多年来,人们常说“GaAs是将来的半导体材料”。最近已有人指出,这个“将来”业已来到,美国Vitesse半导体公司开发成功高度集成GaAs(H—GaAs)专

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