Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态

【摘要】：正 GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在微电子学和光电子学方面的应用日益重要,尤其是发光二极管(LED)、激光二极管(LD)及微波高频器件,如异质双极晶体管(HBT),高电子迁移率晶体管(HEMT),单片微波集成电路(MMIC)等。多年来,人们常说“GaAs是将来的半导体材料”。最近已有人指出,这个“将来”业已来到,美国Vitesse半导体公司开发成功高度集成GaAs(H—GaAs)专

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中国期刊全文数据库

前20条

1	刘锡田;GaAs和GaP单晶的生产与应用[J];稀有金属;1997年04期
2	曹体伦;提高中规模MOS集成电路成品率的重要措施——如何选择单晶材料的电阻率[J];半导体技术;1978年05期
3	孙聂枫,周晓龙,陈秉克,孙同年;InP单晶材料现状与展望[J];电子工业专用设备;2005年10期
4	于会永;赵有文;占荣;高永亮;惠峰;;VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质[J];半导体学报;2008年09期
5	邓志杰;;国外GaP LED和单晶制备技术[J];功能材料;1983年06期
6	管丕恺;砷化镓（GaAs）半导体器件、单晶的现状及发展动向[J];半导体杂志;1994年04期
7	邓志杰;郑安生;俞斌才;;半绝缘InP单晶及其在微电子器件中的应用[J];中国集成电路;2002年11期
8	杨国文，肖建伟，徐遵图，郑婉华，曾一平，徐俊英，张敬明，陈良惠;高质量GaAs－AlGaAs材料MBE生长研究及其应用[J];半导体学报;1995年08期
9	;《物联网杂志》简介[J];现代电子技术;2011年05期
10	;《物联网技术》月刊　主要栏目[J];现代电子技术;2011年05期
11	;电磁兼容性测试:1997年的技术突破和1998年的发展动态[J];电子测试;1998年Z1期
12	;电声元件、器件[J];电子科技文摘;2001年05期
13	;国内外微波能应用发展动态[J];微波学报;1991年01期
14	赵有文;孙文荣;段满龙;董志远;杨子祥;吕旭如;王应利;;高质量InAs单晶材料的制备及其性质[J];半导体学报;2006年08期
15	;新型低温界面工程技术使硅基氧化锌单晶材料及光电子器件研发出现重大成果[J];传感器世界;2009年05期
16	李旭华;;电磁兼容测试的发展动态[J];电工电气;2009年11期
17	徐家跃;单晶材料的新发展及其对生长技术的挑战[J];人工晶体学报;2003年05期
18	邓志杰;;液封直拉技术及其应用[J];功能材料;1982年04期
19	孙贵如;李玉珍;;水平法生长GaAs单晶中砷微沉淀及碳微夹杂的研究[J];电子显微学报;1984年04期
20	;超微细加工及设备[J];中国光学与应用光学文摘;1998年05期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	郑安生;钱嘉裕;韩庆斌;邓志杰;;Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态[A];海峡两岸第七届照明科技与营销研讨会专题报告文集[C];2000年
2	周德俭;;电路模块设计与动态特性分析技术[A];2005年机械电子学学术会议论文集[C];2005年
3	殷之义;顾锦模;曹令娴;滕志义;吴汶海;;P型PbSe单晶的低温电阻率[A];上海制冷学会一九八九年年会论文集[C];1989年
4	高瑞良;赖占平;齐德格;周春锋;刘晏凤;杨连生;;6英寸LEC半绝缘砷化镓单晶材料研制[A];集成电路配套材料研讨会及参展资料汇编[C];2004年
5	杨宇;;Ge单晶薄膜在非晶Si层上的磁控溅射生长研究[A];面向21世纪的科技进步与社会经济发展（下册）[C];1999年
6	孙贵如;李玉珍;;水平法生长GaAs单晶中砷微沉淀及碳微夹杂的研究[A];第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）[C];1983年
7	许路;;HDI电路板新型制造技术发展动态[A];2007中国高端SMT学术会议论文集[C];2007年
8	索开南;闫萍;张殿朝;庞炳远;刘燕;董军恒;;真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化[A];第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
9	荣丽梅;包生祥;李松霞;王志红;常嗣和;;SAWF用钽酸锂晶体表面微观形态的表征[A];第三届全国扫描电子显微学会议论文集[C];2003年
10	孙聂枫;周晓龙;孙同年;杨瑞霞;张伟玉;;LEC法生长InP长单晶[A];提高全民科学素质、建设创新型国家——2006中国科协年会论文集（下册）[C];2006年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	潘志军;热电材料的电子结构研究—掺杂对单晶材料热电性能的影响[D];上海交通大学;2007年
2	孙聂枫;InP晶体合成、生长和特性[D];天津大学;2008年
3	田立强;高功率GaAs光电导开关的特性与击穿机理研究[D];西安理工大学;2009年
4	李冰寒;GaAs、GaSb基材料生长及其器件研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2004年
5	杨智;GaAs光电阴极智能激活与结构设计研究[D];南京理工大学;2010年
6	屈光辉;GaAs光电导开关中载流子输运规律研究[D];西安理工大学;2009年
7	王卓;基于受激拉曼散射效应的窄带GaAs太赫兹辐射源及新型太赫兹探测技术的理论研究[D];天津大学;2009年
8	牛军;变掺杂GaAs光电阴极特性及评估研究[D];南京理工大学;2011年
9	李晓峰;第三代像增强器研究[D];中国科学院西安光学精密机械研究所;2001年
10	詹琰;GaAs MESFET器件与光通信GaAs电路的研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2001年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	赵彦桥;大直径SI-GaAs中缺陷的微观特性及其分布[D];河北工业大学;2007年
2	秦涛;半绝缘SiC单晶材料的电学参数测试研究[D];西安电子科技大学;2009年
3	于祝鹏;穿通结构三极管BV_（CEO）仿真分析及一致性提高研究[D];电子科技大学;2010年
4	赵国旭;SiC高温电学特性研究[D];西安电子科技大学;2008年
5	高海凤;富磷条件下生长的InP单晶体材料特性研究[D];河北工业大学;2011年
6	艾立鹍;MBE生长940nm半导体激光器研究[D];长春理工大学;2002年
7	虞健美;半绝缘SiC单晶电学参数的测量技术研究[D];西安电子科技大学;2007年
8	陈勇臻;SiC单晶抛光片的制备与表征[D];西安理工大学;2008年
9	李海峰;基于复合陶瓷多晶的全固态高功率绿光激光器的研究[D];天津大学;2005年
10	陈启燊;GaAs材料光电性质第一性原理研究[D];西安电子科技大学;2010年

中国重要报纸全文数据库

前10条

1	王祥明　张伟;东莞举办RoHS指令最新发展动态论坛[N];中国高新技术产业导报;2007年
2	孙荣;创新让外行驾驭顶尖技术[N];中国有色金属报;2007年
3	忠一元波李彦;我国第一颗八英寸大直径砷化镓单晶诞生[N];科技日报;2006年
4	王小庆;四十六所：以GaAs生产为主[N];中国电子报;2002年
5	王乐文;新型硅单晶炉“出炉”[N];人民日报;2007年
6	青山;砷化镓集成电路应用前景展望[N];中国电子报;2001年
7	白睿麟;直径130毫米区熔硅单晶在天津出炉[N];中国电子报;2002年
8	陶敦普;1年：从一千万到一亿[N];东莞日报;2011年
9	CCID微电子研究所;日益丰富的半导体材料[N];中国电子报;2002年
10	《技术预测与国家关键技术选择》研究组、新材料领域组;电子信息材料发展趋势[N];中国社会科学院院报;2003年

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