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Si衬底上原子层淀积Al_2O_3薄膜的界面层抑制

徐敏  张卫  孙清清  丁士进  王季陶  
【摘要】:在原子层淀积高k栅介质工艺中,如何抑止Si衬底与高k栅介质的界面层生长非常重要。因为界面层的存在不仅降低了栅介质的有效介电常数,而且会增加界面缺陷,导致器件性能变差。通过TMA预处理,我们发现可以把原子层淀积Al2O3薄膜的界面层从1.7nm降低到0.5nm。XPS分析表明,在原子层淀积起始生长周期中,TMA预处理增强了界面的生长,但整个35个生长周期后界面层却被抑止了。我们提出了一个简单的模型合理地解释了观察到的实验现象。

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