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基于硅基PZT微力传感器标定系统的初步研究

崔岩  佟建华  董维杰  王立鼎  
【摘要】:采用双晶片探头和电子天平对PZT微力传感器进行静态力标定,进而利用双晶片探头和电荷放大器对PZT微力传感器进行准静态标定,微小信号检测通过锁相放大器来实现。PZT薄膜在基体Pt/Ti/SiO2/Si(100)上用溶胶一凝胶法制备,然后在600℃下退火。PZT微力传感器完全由MEMS体硅加工工艺来实现。

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