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直流磁控溅射法制备ITO薄膜的研究

王生浩  王波  冯良桓  张静全  蔡亚平  雷智  黎兵  武莉莉  李卫  郑家贵  蔡伟  
【摘要】:在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了铟锡氧化物(ITO)薄膜,用四探针测试仪、紫外可见分光光度计、X射线衍射等对薄膜样品进行了表征,研究了工艺条件中溅射功率、氧分压、工作气压对薄膜光电性能的影响,优化了ITO的制备工艺参数。制得了禁带宽度为3.9~4.0eV、电阻率为1.0~1.2×10~(-4)Ω·cm、可见光区平均透过率达82%的光电性能优良的ITO薄膜。

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