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高开路电压纳米非晶硅太阳电池

胡志华  廖显伯  刁宏伟  曾湘波  徐艳月  孔光临  
【摘要】:本文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(T_s=170℃),用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层,经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al结构的pin太阳电池。电池开路电压(V_(oc))高达0.94V,同时还能保证72%以上的填充因子(FF)。光电转换效率(E_(ff))达到8.35%(AM1.5,100mW/cm~2)。

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