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以SiCl_4-H_2为源气体用PCVD方法低温快速生长晶化硅薄膜

黄锐  魏俊红  林璇英  余云鹏  林揆训  余楚迎  
【摘要】:以SiCl_4和H_2为气源,用等离子体化学气相沉积技术,通过控制和选择工艺条件,在小于300℃的低温下快速沉积晶化硅薄膜,沉积速率高达3(?)/s以上。本文研究沉积速率与工艺条件的依赖关系和对薄膜结晶度的影响。

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