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硅薄膜P型掺杂特性的研究

郭群超  耿新华  张建新  张德坤  孙建  任慧志  吴春亚  
【摘要】:本文研究了硅薄膜不同P型掺杂剂对材料特性的影响,实验发现,B_2H_6作为掺杂剂时,掺硼量对材料的生长速率和微结构有重要影响。随掺硼量增加,材料的生长速率加快、晶化率下降。当采用B(CH_3)_3作掺杂剂时,掺硼量对材料的生长速率和晶化率的影响相对较小。我们采用PR-650光谱光度计,对等离子体发射光谱(OES)进行在线监测,通过分析OES谱所反映的反应前驱物信息发现:B_2H_6的掺入会使辉光光谱中SiH~*等各种离子密度增强,而B(CH_3)_3作掺杂剂时,随B(CH_3)_3量的增加,SiH~*峰值增加较少,而H_2~*和H~*的峰值会有较大幅度的提升,文中对实验结果进行了讨论。

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