硅薄膜P型掺杂特性的研究
【摘要】：本文研究了硅薄膜不同P型掺杂剂对材料特性的影响,实验发现,B_2H_6作为掺杂剂时,掺硼量对材料的生长速率和微结构有重要影响。随掺硼量增加,材料的生长速率加快、晶化率下降。当采用B(CH_3)_3作掺杂剂时,掺硼量对材料的生长速率和晶化率的影响相对较小。我们采用PR-650光谱光度计,对等离子体发射光谱(OES)进行在线监测,通过分析OES谱所反映的反应前驱物信息发现:B_2H_6的掺入会使辉光光谱中SiH~*等各种离子密度增强,而B(CH_3)_3作掺杂剂时,随B(CH_3)_3量的增加,SiH~*峰值增加较少,而H_2~*和H~*的峰值会有较大幅度的提升,文中对实验结果进行了讨论。
|
|
|
|
| 1 |
;[J];;年期 |
| 2 |
;[J];;年期 |
| 3 |
;[J];;年期 |
| 4 |
;[J];;年期 |
| 5 |
;[J];;年期 |
| 6 |
;[J];;年期 |
| 7 |
;[J];;年期 |
| 8 |
;[J];;年期 |
| 9 |
;[J];;年期 |
| 10 |
;[J];;年期 |
| 11 |
;[J];;年期 |
| 12 |
;[J];;年期 |
| 13 |
;[J];;年期 |
| 14 |
;[J];;年期 |
| 15 |
;[J];;年期 |
| 16 |
;[J];;年期 |
| 17 |
;[J];;年期 |
| 18 |
;[J];;年期 |
| 19 |
;[J];;年期 |
| 20 |
;[J];;年期 |
|
手机打开
快捷付款方式
订购知网充值卡
订购热线
帮助中心